锂电池充电器设计外文翻译资料

 2022-12-24 05:12

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一般说明

OB2535是一种高性能离线PWM电源开关控制器,应用于低功耗AC/DC充电器适配器和一次侧的传感和调节中,并且不需要opto-coupler(极间光耦合器)和TL431。独有的恒压(CV)恒流(CC)集成控制特性如图1所示。

在CC控制中,电流和输出功率的设置可由CS引脚的电流取样电阻器Rs进行外部调节。在CV控制中,利用多模式操作实现了高性能和高效率。另外,通过内置的线路压降补偿来实现良好的负载调节。器件处于CC高负荷工作条件时,以PFM模式工作,轻/中负载时,以PWM低频工作。

OB2535提供了电源软启动控制和保护覆盖功能,具有自动恢复的特点,包括了循环电流限制,VDD OVP(过电压保护),VDD箝位和UVLO(欠压保护)。独有的频率抖动技术实现了优秀的EMI性能。

OB2535能提供高精度的恒定电压和恒定电流。

图1 典型CC/CV曲线

主要特性

bull; 具有5%恒压调节精度误差,5%的恒流调节精度误差的一般交流输入

bull; 无需TL431和opto-coupler的一次侧感应和调节

bull; 可编程的CC和CV调节

bull; 恒流和输出功率设置可调

bull; 通过一次侧的反馈进行内置二次恒流控制

bull; 内置自适应电流峰值调节

bull; 内置一次侧绕组电感补偿

bull; 可编程的线路压降补偿

bull; 软起动

bull; 内置前沿消隐(LEB)

bull; 循环电流限制

bull; 欠电压VDD闭锁(UVLO)

bull; VDD OVP

bull; VDD箝位

应用

低功耗AC/DC离线SMPS用于

bull; 手机充电器

bull; 数码相机充电器

bull; 小型电源适配器

bull; PC,TV的辅助电源

bull; 线性调节器/替代RCC变换器

OB2535的封装为SOP8

典型应用

一般信息

引脚分布

引脚图如下图SOP8所示

购买信息

零件编号

说明

OB2535CP

SOP8,Pb-free,Tube

OB2535CPA

SOP8,Pb-free,Tamp;R

封装耗散率

封装

Rtheta;JA (℃/W)

SOP8

90

注意:漏极引脚连接100mm2 PCB覆铜板

极限参数

参数

漏极电压(关闭状态)

-0.3V-Bvdss

VDD电压

-0.3-VDD _clamp

VDD齐纳箝位持续电流

10mA

COMP电压

-0.3-7V

CS输入电压

-0.3-7V

INV输入电压

-0.3-7V

最小/最大结点工作温度TJ

-20-150℃

最下/最大储存温度TSTG

-55-150℃

铅温(焊接,10secs)

260℃

注意:超出表中“极限参数值”来使用可能会对器件造成永久性损坏。这只是工作最大承受能力,并不建议在其他超出了“推荐工作条件”下工作。长时间处于极限额定条件会影响器件的可靠性。

标记信息

C:SOP8 封装

P:无铅封装

Y:年份编码(0-9)

WW:周编码(01-52)

S:网络编码(可选)

引脚功能

引脚数

引脚名

I/O

说明

1

VDD

P

Power supply

2

COMP

I

对CV进行稳定的循环补偿

3

INV

I

辅助绕组的电压反馈。通过辅助绕组产生的输出电压连接电阻分压器。PWM的占空比由EA(误差放大器)输出和引脚4的电流检测信号决定

4

CS

I

电流检测输入

5/6

DRAIN

O

HV MOSFET漏极引脚。该引脚连接变压器一次侧

7/8

GND

P

Ground

输出功率表

产品

230VACplusmn;15%

85-264VAC

Adapter1

Adapter1

OB2535

6W

5W

注意:在50℃环境下,适配器的最大实际连续功率是根据有效的漏极散热模式来进行设计

结构方框图

电气特性

(如果没有其他说明,TA=25℃,VDD=VDDG=16V)

符号

参数

测试条件

最小

典型

最大

单位

供电电压(VDD)设置

I DD ST

VDD启动电流

VDD=13V

5

20

uA

I DD OP

工作电流

INV=2V,SEN=0V,VDD=DDG=20V

2.5

3.5

mA

UVLO(OFF)

欠压锁存开启

VDD上升

13.5

14.5

16.0

V

UVLO(ON)

欠压锁存结束(恢复)

VDD下降

7.5

8.5

10

V

VDD_clamp

VDD最大工作电压

IDD=10mA

30.5

32.5

34.5

V

OVP

过压保护电压

VDD升高直到DRV时钟关闭

27.5

29.5

31.5

V

电流传感输入

TLEB

LEB时间

540

ns

Vth_oc

过流门限

870

900

930

mV

Td_oc

OCP传送延时

150

ns

Zsense_N

输入阻抗

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